


第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。云顶4008集团官网研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验,研发了一系列SiC MOSFETs。SiC MOSFETs具有高功率密度、低反向恢复电荷、高开关频率的特性,工作温度高达200°C。碳化硅MOSFET的RDSon温度稳定性卓越、开关速度快且短路鲁棒性高,可满足日益增长的大功率和高电压工业应用需求,是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器的优选产品。
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