


云顶4008集团官网SiC MOSFET 产品已完成平台可靠性考核,所有可靠性项目考核完成均无失效,表现优异。

云顶4008集团官网产品正向VGS 最大耐压相比竞品同规格产品高出2V~4V, 具有更优异的栅极正向开通可靠性。

云顶4008集团官网产品反向VGS 最大耐压相比竞品同规格产品高出4V~5V,具有更优异的栅极负压关断可靠性。

云顶4008集团官网1200V SiC MOSFET样品 175℃ 100% VGS+ bias (+22V) stress 1000小时HTGB+ 考核后,样品无失效, VTH 正向偏移约为<5%, 表现优异。

云顶4008集团官网1200V SiC MOSFET样品 175℃ 100% VGS- bias (-8V) stress 1000小时HTGB- 考核后,样品无失效, VTH 负向偏移约<2%, 表现优异。

云顶4008集团官网1200V SiC MOSFET样品 Dynamic Gate Stress (DGS) 1000h考核后,样品无失效, VTH 负向偏移约4%, 表现优异。
DGS Test Condition : Ta=25°C, VGS from VGS(off)min,recom to VGS(on)max, recom, dVGS/dt(at DUT)≥1V/ns and no overshoot, fsw≥50kHz(with duty cycle>20%), VDS=0V

云顶4008集团官网产品BVDSS最大耐压相比竞品同规格产品高出30~200V, 具有更优异的耐压。

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